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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD120AN15A0
Code Commande1467970RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds150V
Courant de drain Id14A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.12ohm
Type de boîtier de transistorTO-252AA
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance65W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
Aperçu du produit
Le FDD120AN15A0 est un MOSFET, canal N produit à l'aide du processus PowerTrench® Il convient pour une utilisation dans un redressement synchrone de la batterie et une application micro-onduleur solaire.
- Faible charge Miller
- Corps de diode faible Qrr
- Capacité UIS (impulsion unique et impulsion répétitive)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
14A
Type de boîtier de transistor
TO-252AA
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
65W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
150V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.12ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000378
Traçabilité des produits