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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC604P
Code Commande9846417
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id5.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.033ohm
Type de boîtier de transistorSuperSOT
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max700mV
Dissipation de puissance1.6W
Nbre de broches6Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
Le FDC604P est un MOSFET, canal P spécifié à 1,8V qui utilise le procédé PowerTrench® basse tension. Il est optimisé pour la gestion de la batterie, les interrupteurs de charge et les applications de protection de batterie.
- Vitesse de commutation rapide
- Technologie Trench haute performance pour un avoir un RDS(on) extrêmement faible
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
5.5A
Type de boîtier de transistor
SuperSOT
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
1.6W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.033ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
700mV
Nbre de broches
6Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000086