FCD4N60TM
MOSFET de puissance, Canal N, 600 V, 3.9 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.860 |
| 10+ | CHF 1.260 |
| 100+ | CHF 0.843 |
| 500+ | CHF 0.706 |
| 1000+ | CHF 0.651 |
| 5000+ | CHF 0.588 |
Informations produit
Aperçu du produit
Le FCD4N60TM est un transistor MOSFET haute tension SuperFET®, canal N qui utilise la technologie d'équilibrage de charge pour une faible résistance à l'état passant exceptionnelle et des performances de charge de grille plus faibles. Cette technologie est conçue pour minimiser les pertes de conduction, fournir des performances de commutation supérieures, un taux dV/dt et une énergie d'avalanche plus élevée. Par conséquent, SuperFET MOSFET est très approprié pour les applications de puissance de commutation telles que les PFC, les alimentations de serveurs/télécom, les alimentations FPD TV, les alimentations ATX et les applications d'alimentations industrielles.
- Charge de grille ultra faible (Qg = 12,8nC)
- Faible capacité de sortie effective (Coss.eff = 32pF)
- Test avalanche 100%
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Canal N
3.9A
TO-252 (DPAK)
10V
50W
150°C
-
Lead (27-Jun-2024)
600V
1ohm
Montage en surface
5V
3Broche(s)
-
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit