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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCD3400N80Z
Code Commande3368717
Gamme de produitSuperFET II
Fiche technique
2’060 En Stock
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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | CHF 1.010 |
10+ | CHF 0.830 |
100+ | CHF 0.677 |
500+ | CHF 0.654 |
1000+ | CHF 0.631 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCD3400N80Z
Code Commande3368717
Gamme de produitSuperFET II
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds800V
Courant de drain Id2A
Résistance Drain-Source à l'état-ON2.75ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4.5V
Dissipation de puissance32W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitSuperFET II
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
2A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
32W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
800V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
2.75ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
SuperFET II
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits