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EGF1D
Diode Fast / U, 200 V, 1 A, Une, 1 V, 50 ns, 30 A
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25’398 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.453 |
| 50+ | CHF 0.327 |
| 250+ | CHF 0.269 |
| 1000+ | CHF 0.181 |
| 3000+ | CHF 0.179 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantEGF1D
Code Commande1467486
Gamme de produitEGF1D
Tension inverse crête répétitive200V
Courant direct moyen1A
Configuration diodeUne
Tension directe max1V
Temps de redressement en inverse50ns
Courant de surtension vers l'avant30A
Température de fonctionnement max..175°C
Type de boîtier de diodeDO-214AC (SMA)
Nbre de broches2 broches
Gamme de produitEGF1D
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
L'EGF1D est une diode de redressement ultra-rapide avec une jonction verre passivé
- Faible chute de tension directe
- Boîtier bas profil
- Commutation rapide pour un rendement élevé.
Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
200V
Configuration diode
Une
Temps de redressement en inverse
50ns
Température de fonctionnement max..
175°C
Nbre de broches
2 broches
Qualification
-
Courant direct moyen
1A
Tension directe max
1V
Courant de surtension vers l'avant
30A
Type de boîtier de diode
DO-214AC (SMA)
Gamme de produit
EGF1D
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour EGF1D
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000119
Traçabilité des produits