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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBSS138LT3G
Code Commande2101819
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds50V
Courant de drain Id200mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON3.5ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)2.75V
Tension de seuil Vgs Max500mV
Dissipation de puissance225mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
Le BSS138LT3G est un MOSFET de puissance à canal N faible tension de seuil et idéal pour les applications basse tension. Le montage en surface miniature permet d'économiser de l'espace sur la carte.
- Tension continue de grille à source ±20VDC
- Résistance thermique jonction/air ambiant de 556°C/W
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
200mA
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
2.75V
Dissipation de puissance
225mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
50V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
3.5ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
500mV
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000006
Traçabilité des produits