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BC857BDW1T1G
Réseau de transistors bipolaires, À usage général, Double PNP, 45 V, 100 mA
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBC857BDW1T1G
Code Commande1653608
Gamme de produitBCxxx Series
Fiche technique
31’089 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.111 |
| 50+ | CHF 0.0684 |
| 100+ | CHF 0.0426 |
| 500+ | CHF 0.0403 |
| 1500+ | CHF 0.0379 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
CHF 0.56 (sans TVA)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBC857BDW1T1G
Code Commande1653608
Gamme de produitBCxxx Series
Fiche technique
Polarité transistorDouble PNP
Tension Collecteur Emetteur Max NPN-
Tension Collecteur Emetteur Max PNP45V
Courant de collecteur continu NPN-
Courant de collecteur continu PNP100mA
Dissipation de puissance NPN-
Dissipation de puissance PNP380mW
Gain de courant DC hFE Min NPN-
Gain de courant DC hFE Min PNP150hFE
Type de boîtier de transistorSOT-363
Nombre de broches6Broche(s)
Montage transistorMontage en surface
Température de fonctionnement max..150°C
Fréquence de transition NPN-
Fréquence de transition PNP100MHz
Gamme de produitBCxxx Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le BC857BDW1T1G est un réseau de transistor bipolaire NPN conçu pour les applications d'amplificateurs à usage général. Il est conçu pour les applications de montage en surface, faible puissance.
- Sans halogène
- Gamme de température de jonction de -55 à + 150°C
Spécifications techniques
Polarité transistor
Double PNP
Tension Collecteur Emetteur Max PNP
45V
Courant de collecteur continu PNP
100mA
Dissipation de puissance PNP
380mW
Gain de courant DC hFE Min PNP
150hFE
Nombre de broches
6Broche(s)
Température de fonctionnement max..
150°C
Fréquence de transition PNP
100MHz
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Collecteur Emetteur Max NPN
-
Courant de collecteur continu NPN
-
Dissipation de puissance NPN
-
Gain de courant DC hFE Min NPN
-
Type de boîtier de transistor
SOT-363
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition NPN
-
Gamme de produit
BCxxx Series
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BC857BDW1T1G
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.08