Imprimer la page
BC847CDW1T1G
Réseau de transistors bipolaires, Usage Général, Double NPN, 45 V, 100 mA, 380 mW
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
23’593 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.163 |
| 50+ | CHF 0.0998 |
| 100+ | CHF 0.0617 |
| 500+ | CHF 0.0453 |
| 1500+ | CHF 0.0345 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
CHF 0.82 (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBC847CDW1T1G
Code Commande2464066
Fiche technique
Polarité transistorDouble NPN
Tension Collecteur Emetteur Max NPN45V
Tension Collecteur Emetteur Max PNP-
Courant de collecteur continu NPN100mA
Courant de collecteur continu PNP-
Dissipation de puissance NPN380mW
Dissipation de puissance PNP-
Gain de courant DC hFE Min NPN270hFE
Gain de courant DC hFE Min PNP-
Type de boîtier de transistorSOT-363
Nombre de broches6Broche(s)
Montage transistorMontage en surface
Température de fonctionnement max..150°C
Fréquence de transition NPN100MHz
Fréquence de transition PNP-
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le BC847CDW1T1G est un double transistor bipolaire NPN conçu pour les applications d'amplificateurs pour un usage général. Il est logé dans le boîtier conçu pour les applications à montage en surface de faible puissance.
- Qualification AECQ101 et capacité PPAP
Spécifications techniques
Polarité transistor
Double NPN
Tension Collecteur Emetteur Max PNP
-
Courant de collecteur continu PNP
-
Dissipation de puissance PNP
-
Gain de courant DC hFE Min PNP
-
Nombre de broches
6Broche(s)
Température de fonctionnement max..
150°C
Fréquence de transition PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Collecteur Emetteur Max NPN
45V
Courant de collecteur continu NPN
100mA
Dissipation de puissance NPN
380mW
Gain de courant DC hFE Min NPN
270hFE
Type de boîtier de transistor
SOT-363
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition NPN
100MHz
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004536
Traçabilité des produits