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2V7002KT1G
MOSFET de puissance, AEC-Q101, Canal N, 60 V, 380 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 3000+ | CHF 0.0366 |
| 9000+ | CHF 0.0304 |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 3000
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2V7002KT1G
Code Commande2985422
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id380mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON1.6ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1V
Dissipation de puissance420mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
380mA
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
420mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
1.6ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour 2V7002KT1G
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000907
Traçabilité des produits