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|---|---|
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| 1500+ | CHF 0.0523 |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N7002LT1G
Code Commande9558624RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id115mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON7.5ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance200mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le 2N7002LT1G est un MOSFET pour petit signal, canal N, 60V capable d'une dissipation de puissance de 300 mW et d'un courant de drain continu de 115 mA.
- Sans halogène/sans BFR
- Tension Gate-Source ±20VDC
- Tension Drain-Gate 60 VDC
- Résistance thermique 417°C/W, jonction / air ambiant
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
115mA
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
200mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
7.5ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000454
Traçabilité des produits