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G3VM-101ER1(TR05)
Relais MOSFET, SPST-NO (1 Forme A), AC / DC, 100 V, 7 A, DIP-6, Montage en surface
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FabricantOMRON ELECTRONIC COMPONENTS
Réf. FabricantG3VM-101ER1(TR05)
Code Commande3406476RL
Gamme de produitG3VM-ER Series
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 10+ | CHF 8.630 |
| 20+ | CHF 8.370 |
| 50+ | CHF 7.530 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantOMRON ELECTRONIC COMPONENTS
Réf. FabricantG3VM-101ER1(TR05)
Code Commande3406476RL
Gamme de produitG3VM-ER Series
Fiche technique
Forme de contactSPST-NO (1 Forme A)
Type de chargeAC / DC
Tension de charge Max.100V
Courant, charge7A
Style de boîtier de relais MOSFETDIP-6
Montage relaisMontage en surface
Bornes de relaisGull Wing
Résistance On State Max.0.08ohm
Tension, isolation2.5kV
Type de capacité d'E/S0.8pF
Courant de fuite à l'état d'arrêt max.1µA
Gamme de produitG3VM-ER Series
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Forme de contact
SPST-NO (1 Forme A)
Tension de charge Max.
100V
Style de boîtier de relais MOSFET
DIP-6
Bornes de relais
Gull Wing
Tension, isolation
2.5kV
Courant de fuite à l'état d'arrêt max.
1µA
SVHC
To Be Advised
Type de charge
AC / DC
Courant, charge
7A
Montage relais
Montage en surface
Résistance On State Max.
0.08ohm
Type de capacité d'E/S
0.8pF
Gamme de produit
G3VM-ER Series
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85364190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004