Imprimer la page
PUMZ1,115
Réseau de transistors bipolaires, NPN, PNP, 40 V, 40 V, 100 mA, 100 mA, 300 mW
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 10 semaine(s)
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 500+ | CHF 0.0463 |
| 1500+ | CHF 0.0381 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 500
Multiple: 5
CHF 28.15 (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de CHF 5.00 seront appliqués pour ce produit
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPUMZ1,115
Code Commande2464058RL
Fiche technique
Polarité transistorNPN, PNP
Tension Collecteur Emetteur Max NPN40V
Tension Collecteur Emetteur Max40V
Courant Collecteur Continu100mA
Tension Collecteur Emetteur Max PNP40V
Courant de collecteur continu NPN100mA
Dissipation de puissance200mW
Courant de collecteur continu PNP100mA
Dissipation de puissance NPN300mW
Dissipation de puissance PNP300mW
Gain de courant DC hFE Min NPN120hFE
Gain de courant DC hFE Min PNP120hFE
Gain de courant DC hFE Min.120hFE
Type de boîtier de transistorSOT-363
Nbre de broches6Broche(s)
Montage transistorMontage en surface
Température d'utilisation Max.150°C
Fréquence de transition NPN100MHz
Fréquence de transition PNP100MHz
Gamme de produit-
Qualification-
Aperçu du produit
Le PUMZ1,115 est un transistor NPN-PNP adapté pour une utilisation en commutation et amplification pour un usage général. Il dispose de deux transistors fonctionnant indépendamment dans un boîtier en plastique pour montage en surface.
- Courant faible
- Basse tension
- Code de marquage F*Z
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN, PNP
Tension Collecteur Emetteur Max
40V
Tension Collecteur Emetteur Max PNP
40V
Dissipation de puissance
200mW
Dissipation de puissance NPN
300mW
Gain de courant DC hFE Min NPN
120hFE
Gain de courant DC hFE Min.
120hFE
Nbre de broches
6Broche(s)
Température d'utilisation Max.
150°C
Fréquence de transition PNP
100MHz
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Collecteur Emetteur Max NPN
40V
Courant Collecteur Continu
100mA
Courant de collecteur continu NPN
100mA
Courant de collecteur continu PNP
100mA
Dissipation de puissance PNP
300mW
Gain de courant DC hFE Min PNP
120hFE
Type de boîtier de transistor
SOT-363
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition NPN
100MHz
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits