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PSMN4R0-30YLDX
MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 95 A, 0.0034 ohm, SOT-669, Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
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| 200+ | CHF 0.275 |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPSMN4R0-30YLDX
Code Commande2449092
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id95A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0034ohm
Type de boîtier de transistorSOT-669
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.74V
Dissipation de puissance64W
Nbre de broches4Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
Aperçu du produit
The PSMN4R0-30YLD is a N-channel enhancement-mode logic level gate drive MOSFET optimised for 4.5V gate drive. NextPowerS3 portfolio utilising NXP's unique SchottkyPlus technology delivers high efficiency, low spiking performance usually associated with MOSFETs with an integrated Schottky or Schottky-like diode but without problematic high leakage current. NextPowerS3 is particularly suited to high efficiency applications at high switching frequencies.
- Ultra-low QG, QGD and QOSS for high system efficiency, especially at higher switching frequencies
- Superfast switching with soft-recovery (s-factor<gt/>1)
- Low spiking and ringing for low EMI designs
- Unique SchottkyPlus technology
- Schottky-like performance with <lt/>1µA leakage at 25°C
- Low parasitic inductance and resistance
- High reliability clip bonded and solder die attach power SO8 package
- No glue, no wire bonds, qualified to 175°C
- Wave solderable, exposed leads for optimal visual solder inspection
- -55 to 175°C Junction temperature range
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
95A
Type de boîtier de transistor
SOT-669
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
64W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0034ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.74V
Nbre de broches
4Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001
Traçabilité des produits