Imprimer la page
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
2’438 En Stock
3’000 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
5+ | CHF 0.446 |
50+ | CHF 0.274 |
100+ | CHF 0.137 |
500+ | CHF 0.128 |
1500+ | CHF 0.091 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
CHF 2.23 (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMV20ENR
Code Commande3440075
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id6A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.021ohm
Type de boîtier de transistorTO-236AB
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.5V
Dissipation de puissance510mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
Le PMV20ENR de Nexperia est un transistor à effet de champ (FET) mode d'amélioration, canal N dans un petit boîtier en plastique SOT23 (TO-236AB) pour composants cms utilisant la technologie Trench MOSFET.
- Convient pour les drivers de relais, drivers de ligne à grande vitesse, les commutateurs de charge côté bas et les circuits de commutation
- Compatible avec niveau logique
- Vitesse de commutation rapide
- Technologie Trench MOSFET
- Capacité de dissipation de puissance améliorée de 1200 mW
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
6A
Type de boîtier de transistor
TO-236AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
510mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.021ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001
Traçabilité des produits