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PMV164ENEAR
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 1.6 A, 0.218 ohm, TO-236AB, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.0893 |
| 500+ | CHF 0.0828 |
| 1500+ | CHF 0.081 |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMV164ENEAR
Code Commande3132378RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Polarité transistorCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id1.6A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.218ohm
Résistance Rds(on)0.164ohm
Type de boîtier de transistorTO-236AB
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.7V
Dissipation de puissance640mW
Dissipation de puissance Pd640mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
Normes Qualification AutomobileAEC-Q101
Aperçu du produit
PMV164ENEAR is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits.
- Logic-level compatible
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2kV HBM (class H2)
- AEC-Q101 qualified
- Drain-source voltage is 60V max at Tj = 25°C
- Gate-source voltage is 20V maximum
- Drain current is 1.6A max at VGS = 10V; Tamb = 25°C
- Peak drain current is 6.5A max at Tamb = 25°C; single pulse; tp ≤ 10µs
- Source current is 1.3A max at Tamb = 25°C
- Total power dissipation is 640mW max at Tamb = 25°C
- Ambient temperature range from -55 to 175°C
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.218ohm
Type de boîtier de transistor
TO-236AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
640mW
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
Normes Qualification Automobile
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Polarité transistor
Canal N
Courant de drain Id
1.6A
Résistance Rds(on)
0.164ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.7V
Dissipation de puissance Pd
640mW
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000002
Traçabilité des produits