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PMV120ENEAR
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 2.1 A, 0.096 ohm, TO-236AB, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.178 |
| 500+ | CHF 0.130 |
| 1500+ | CHF 0.104 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMV120ENEAR
Code Commande2628085RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id2.1A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.096ohm
Type de boîtier de transistorTO-236AB
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.7V
Dissipation de puissance513mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
2.1A
Type de boîtier de transistor
TO-236AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
513mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.096ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.7V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002722
Traçabilité des produits