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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMH550UNEH
Code Commande3020059
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id770mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.67ohm
Type de boîtier de transistorDFN0606
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max700mV
Dissipation de puissance380mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
770mA
Type de boîtier de transistor
DFN0606
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
380mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.67ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
700mV
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00082
Traçabilité des produits