Imprimer la page
PBSS4160DS,115
Réseau de transistors bipolaires, Double NPN, 60 V, 1 A, 420 mW
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
1’425 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.347 |
| 10+ | CHF 0.221 |
| 100+ | CHF 0.150 |
| 500+ | CHF 0.115 |
| 1000+ | CHF 0.104 |
| 5000+ | CHF 0.0853 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
CHF 1.73 (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPBSS4160DS,115
Code Commande1757960
Fiche technique
Polarité transistorDouble NPN
Tension Collecteur Emetteur Max NPN60V
Tension Collecteur Emetteur Max PNP-V
Courant de collecteur continu NPN1A
Courant de collecteur continu PNP-A
Dissipation de puissance NPN420mW
Dissipation de puissance PNP-W
Gain de courant DC hFE Min NPN500hFE
Gain de courant DC hFE Min PNP-hFE
Type de boîtier de transistorSOT-457
Nombre de broches6Broche(s)
Montage transistorMontage en surface
Température de fonctionnement max..150°C
Fréquence de transition NPN220MHz
Fréquence de transition PNP-MHz
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le PBSS4160DS,115 est un double réseau de transistors bipolaires, petit signal NPN (BISS) dans un boîtier en plastique pour montage en surface. Il convient aux applications à double interrupteur faible puissance. Il utilise une surface de carte de circuit imprimé (PCB) plus petite que celle des transistors conventionnels.
- Faible tension de saturation Collecteur-Émetteur (VCEsat)
- Courant Collecteur élevé IC et ICM
- Gain de courant de collecteur élevé (hFE) à IC élevé
- Haute efficacité énergétique grâce à une génération de chaleur plus faible
- Complément PBSS5160DS double PNP
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Polarité transistor
Double NPN
Tension Collecteur Emetteur Max PNP
-V
Courant de collecteur continu PNP
-A
Dissipation de puissance PNP
-W
Gain de courant DC hFE Min PNP
-hFE
Nombre de broches
6Broche(s)
Température de fonctionnement max..
150°C
Fréquence de transition PNP
-MHz
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Collecteur Emetteur Max NPN
60V
Courant de collecteur continu NPN
1A
Dissipation de puissance NPN
420mW
Gain de courant DC hFE Min NPN
500hFE
Type de boîtier de transistor
SOT-457
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition NPN
220MHz
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000006
Traçabilité des produits