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NXV65UPR
MOSFET de puissance, Canal P, 20 V, 2.1 A, 0.055 ohm, SOT-23, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.333 |
| 50+ | CHF 0.201 |
| 100+ | CHF 0.0836 |
| 500+ | CHF 0.0828 |
| 1500+ | CHF 0.0729 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantNXV65UPR
Code Commande3617843
Gamme de produitTrench
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id2.1A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.055ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max700mV
Dissipation de puissance340mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrench
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
2.1A
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
340mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.055ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
700mV
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
Trench
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits