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NX5008NBKHH
MOSFET de puissance, Canal N, 50 V, 350 mA, 2 ohm, DFN0606, Montage en surface
463 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 500+ | CHF 0.0583 |
| 1000+ | CHF 0.0558 |
| 5000+ | CHF 0.0522 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 500
Multiple: 5
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantNX5008NBKHH
Code Commande3585598RL
Gamme de produitTrench
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds50V
Courant de drain Id350mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON2ohm
Type de boîtier de transistorDFN0606
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max700mV
Dissipation de puissance380mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrench
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
350mA
Type de boîtier de transistor
DFN0606
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
380mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tension Drain-Source Vds
50V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
2ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
700mV
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
Trench
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000041
Traçabilité des produits