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MJD45H11J
Transistor simple bipolaire (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, SOT-428C, Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantMJD45H11J
Code Commande3939786
Fiche technique
Polarité transistorPNP
Tension Collecteur Emetteur Max80V
Courant Collecteur Continu8A
Dissipation de puissance20W
Type de boîtier de transistorSOT-428C
Montage transistorMontage en surface
Nbre de broches3Broche(s)
Fréquence de transition80MHz
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Polarité transistor
PNP
Courant Collecteur Continu
8A
Type de boîtier de transistor
SOT-428C
Nbre de broches
3Broche(s)
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tension Collecteur Emetteur Max
80V
Dissipation de puissance
20W
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition
80MHz
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000033
Traçabilité des produits