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GAN041-650WSBQ
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Traversant
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 14.580 |
| 5+ | CHF 13.800 |
| 10+ | CHF 13.020 |
| 50+ | CHF 11.650 |
| 100+ | CHF 10.270 |
| 250+ | CHF 10.060 |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantGAN041-650WSBQ
Code Commande3759053
Fiche technique
Tension Drain-Source Vds650V
Courant de drain Id47.2A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.041ohm
Charge de porte Typique22nC
Type de boîtier de transistorTO-247
Montage transistorTraversant
Nbre de broches3Broche(s)
Gamme de produit-
Qualification-
Aperçu du produit
GAN041-650WSBQ is a 650V, 35mohm Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package. It is a normally-off device that combines Nexperia’s latest high-voltage GaN HEMT H2 technology and low-voltage silicon MOSFET technologies — offering superior reliability and performance. The applications include hard and soft switching converters for industrial and datacom power, bridgeless totempole PFC, PV, and UPS inverters, and servo motor drives.
- Ultra-low reverse recovery charge, simple gate drive (0V to +10V or 12V), robust gate oxide (±20V)
- High gate threshold voltage (+4V) for very good gate bounce immunity
- Very low source-drain voltage in reverse conduction mode, transient over-voltage capability (800V)
- Drain-source voltage is 650V max (55°C ≤ Tj ≤ 175°C)
- Drain current is 47.2A max (VGS = 10V; Tmb = 25°C), total power dissipation is 187W max (Tmb = 25°C)
- Drain-source on-state resistance is 35mohm typ (VGS = 10V; ID = 32A; Tj = 25°C)
- Gate-drain charge is 6.6nC typ (ID = 32A; VDS = 400V; VGS = 10V; Tj = 25°C)
- Total gate charge is 22nC typ (ID = 32A; VDS = 400V; VGS = 10V; Tj = 25°C)
- Recovered charge is 150nC typ (IS = 32A; dIS/dt = -1000A/µs; VGS = 0V; VDS = 400V)
- 3 leads SOT429 package, junction temperature range from -55 to 175°C
Spécifications techniques
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.041ohm
Type de boîtier de transistor
TO-247
Nbre de broches
3Broche(s)
Qualification
-
Courant de drain Id
47.2A
Charge de porte Typique
22nC
Montage transistor
Traversant
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004749
Traçabilité des produits