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BUK9Y29-40E,115
MOSFET de puissance, Canal N, 40 V, 25 A, 0.0204 ohm, SOT-669, Montage en surface
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Disponible sur commande
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.491 |
| 10+ | CHF 0.362 |
| 100+ | CHF 0.271 |
| 500+ | CHF 0.257 |
| 1000+ | CHF 0.243 |
| 5000+ | CHF 0.228 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 0.49 (sans TVA)
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBUK9Y29-40E,115
Code Commande2777598
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id25A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0204ohm
Type de boîtier de transistorSOT-669
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.7V
Dissipation de puissance37W
Nbre de broches4Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
25A
Type de boîtier de transistor
SOT-669
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
37W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0204ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.7V
Nbre de broches
4Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000089
Traçabilité des produits