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Quantité | Prix (hors TVA) |
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1000+ | CHF 0.153 |
5000+ | CHF 0.146 |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBSP60,115
Code Commande3439636
Fiche technique
Polarité transistorPNP
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo45V
Dissipation de puissance Pd1.25W
Courant de collecteur DC1A
Boîtier de transistor RFSOT-223
Nbre de broches4Broche(s)
Gain en courant DC hFE2000hFE
Montage transistorMontage en surface
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Polarité transistor
PNP
Dissipation de puissance Pd
1.25W
Boîtier de transistor RF
SOT-223
Gain en courant DC hFE
2000hFE
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
45V
Courant de collecteur DC
1A
Nbre de broches
4Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001
Traçabilité des produits