Imprimer la page
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
122’800 En Stock
10’205 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
5+ | CHF 0.331 |
10+ | CHF 0.131 |
100+ | CHF 0.108 |
500+ | CHF 0.102 |
1000+ | CHF 0.0931 |
5000+ | CHF 0.0699 |
Prix pour :Pièce
Minimum: 5
Multiple: 5
CHF 1.66 (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBSH203,215
Code Commande1972669
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id470mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.66ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max680mV
Dissipation de puissance417mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le BSH203 est un transistor MOS de puissance, mode d'amélioration, canal P, logé dans un boîtier subminiature pour montage en surface. Le composant a une tension de seuil faible et une commutation extrêmement rapide, ce qui le rend idéal pour les applications alimentées par batterie et l'interfaçage numérique à grande vitesse.
- Seuil de tension bas
- Commutation rapide
- Compatible avec niveau logique
- Gamme de température de jonction de -55 à 150°C
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
470mA
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
417mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.66ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
680mV
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000008
Traçabilité des produits