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BC856S,115
Réseau de transistors bipolaires, Double PNP, 65 V, 100 mA
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 10 semaine(s)
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 3000+ | CHF 0.0302 |
| 9000+ | CHF 0.0231 |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
CHF 90.60 (sans TVA)
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBC856S,115
Code Commande2439033
Fiche technique
Polarité transistorDouble PNP
Tension Collecteur Emetteur Max NPN-V
Tension Collecteur Emetteur Max PNP65V
Courant de collecteur continu NPN-A
Courant de collecteur continu PNP100mA
Dissipation de puissance NPN-W
Dissipation de puissance PNP220mW
Gain de courant DC hFE Min NPN-hFE
Gain de courant DC hFE Min PNP110hFE
Type de boîtier de transistorSOT-363
Nombre de broches6Broche(s)
Montage transistorMontage en surface
Température de fonctionnement max..150°C
Fréquence de transition NPN-MHz
Fréquence de transition PNP100MHz
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le BC856S 115 un réseau de transistors bipolaires PNP dans un très petit boîtier en plastique pour montage en surface. Convient pour un usage général en amplification et commutation
- Faible capacité du collecteur
- Faible tension de saturation Collecteur-Émetteur 0,4V
- Gain de courant étroitement adapté
- Il permet de réduire le nombre de composants et l'espace utilisé sur la carte
- Pas d'interférence mutuelle entre les transistors
Spécifications techniques
Polarité transistor
Double PNP
Tension Collecteur Emetteur Max PNP
65V
Courant de collecteur continu PNP
100mA
Dissipation de puissance PNP
220mW
Gain de courant DC hFE Min PNP
110hFE
Nombre de broches
6Broche(s)
Température de fonctionnement max..
150°C
Fréquence de transition PNP
100MHz
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Collecteur Emetteur Max NPN
-V
Courant de collecteur continu NPN
-A
Dissipation de puissance NPN
-W
Gain de courant DC hFE Min NPN
-hFE
Type de boîtier de transistor
SOT-363
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition NPN
-MHz
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits