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BC847BPN,115
Réseau de transistors bipolaires, À usage général, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 500+ | CHF 0.0533 |
| 1500+ | CHF 0.0377 |
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Minimum: 500
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBC847BPN,115
Code Commande1081233RL
Fiche technique
Polarité transistorNPN, PNP
Tension Collecteur Emetteur Max NPN45V
Tension Collecteur Emetteur Max PNP45V
Courant de collecteur continu NPN100mA
Courant de collecteur continu PNP100mA
Dissipation de puissance NPN200mW
Dissipation de puissance PNP200mW
Gain de courant DC hFE Min NPN200hFE
Gain de courant DC hFE Min PNP200hFE
Type de boîtier de transistorSC-88
Nombre de broches6Broche(s)
Montage transistorMontage en surface
Température de fonctionnement max..150°C
Fréquence de transition NPN100MHz
Fréquence de transition PNP100MHz
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le BC847BPN de NXP est un transistor à usage général NPN/PNP CMS en boîtier SOT-363 (SC-88). Ce transistor se caractérise par une faible capacité de collecteur, une faible tension de saturation de collecteur à émetteur et un gain de courant à proche correspondance. Il réduit le nombre de composants et l'espace sur carte et il n'y a pas d'interférence mutuelle entre les transistors. Le BC847BPN convient pour un usage général en amplification et en commutation
- Tension Collecteur/Emetteur (Vce) de 45V
- Courant de collecteur (Ic) 100mA
- Gain courant de 200 à VCE 5V
- Dissipation de puissance (Pd) de 250mW par transistor
- Plage de température ambiante de -65°C à 150°C
- Tension de saturation Collecteur/Émetteur de 300mV avec un courant de collecteur de 100mA
- Fréquence de transition de 100MHz
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN, PNP
Tension Collecteur Emetteur Max PNP
45V
Courant de collecteur continu PNP
100mA
Dissipation de puissance PNP
200mW
Gain de courant DC hFE Min PNP
200hFE
Nombre de broches
6Broche(s)
Température de fonctionnement max..
150°C
Fréquence de transition PNP
100MHz
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Collecteur Emetteur Max NPN
45V
Courant de collecteur continu NPN
100mA
Dissipation de puissance NPN
200mW
Gain de courant DC hFE Min NPN
200hFE
Type de boîtier de transistor
SC-88
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition NPN
100MHz
Gamme de produit
-
MSL
-
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Niger
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Niger
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000006