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IRLML6401
MOSFET de puissance, Canal P, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantMULTICOMP PRO
Réf. FabricantIRLML6401
Code Commande4655265RL
Gamme de produitMulticomp Pro MOSFET Transistros
Fiche technique
7’305 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 500+ | CHF 0.066 |
| 1000+ | CHF 0.0471 |
| 5000+ | CHF 0.0413 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 500
Multiple: 5
CHF 38.00 (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de CHF 5.00 seront appliqués pour ce produit
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Informations produit
FabricantMULTICOMP PRO
Réf. FabricantIRLML6401
Code Commande4655265RL
Gamme de produitMulticomp Pro MOSFET Transistros
Fiche technique
Tension Drain-Source Vds12V
Courant de drain Id4.3A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.05ohm
Tension de test Rds(on)1.8V
Tension de seuil Vgs Max950mV
Dissipation de puissance1.3W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitMulticomp Pro MOSFET Transistros
MSLMSL 1 - Illimité
Aperçu du produit
The IRLML6401 is a P-Channel HEXFET® Power MOSFET designed by Infineon (originally International Rectifier). Engineered for space-efficient and low-voltage applications, this MOSFET delivers high performance in compact SOT-23 packaging. Its low R DS(on), fast switching capability, and logic-level gate drive make it ideal for battery-powered and portable applications.
- P-Channel MOSFET (enhancement mode)
- Drain-to-Source Voltage (V DS): –20V
- Gate-to-Source Voltage (V GS): ±8V max
- Continuous Drain Current (I D): –3.7A @ T<sub>A</sub> = 25°C
- R DS(on): 0.055Ω max @ V GS = –4.5V
- Fast switching speed
- Low gate charge (typ. 5.2nC)
- Logic-level gate drive
- Lead-free, RoHS compliant
- Operates with logic-level voltages, making it easy to drive with standard microcontrollers.
- Tiny SOT-23 package saves board space, perfect for densely populated PCBs.
Spécifications techniques
Tension Drain-Source Vds
12V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.05ohm
Tension de seuil Vgs Max
950mV
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
Multicomp Pro MOSFET Transistros
Courant de drain Id
4.3A
Tension de test Rds(on)
1.8V
Dissipation de puissance
1.3W
Température d'utilisation Max.
150°C
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Non
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.107