MT53E2G64D8TN-046 AAT:C

La MT53E2G64D8TN-046 AAT:C est une SDRAM DDR4 mobile basse consommation 16Go avec une faible VDDQ. Il s'agit d'un périphérique mémoire à accès aléatoire dynamique CMOS à grande vitesse. Cette mémoire est configuré en interne avec 2 canaux ou 1× 16 E/S, chaque canal ayant 8 banques. Il a dirigé l'actualisation par banque pour le fonctionnement simultané des banques et la facilité de planification des commandes. Cette mémoire dispose d'un capteur de température intégré pour contrôler le taux d'auto-rafraîchissement. Il dispose d'une capacité d'arrêt d'horloge et d'une entrée CMD/ADR à débit de données unique. Longueurs de salve programmables et à la volée (BL = 16, 32). Cette mémoire a un stroboscope de données bidirectionnel/différentiel par voie d'octet.

• Tension d'utilisation de 1,10V (VDD2) / 0,60V ou 1,10V (VDDQ)
• Configuration 2Gig x 64, LPDDR4, Adressage 8 die. Conception C
• Boîtier LFBGA 556 billes, 12,4 x 12.4 x 1.23mm (Ø0.24 CMS)
• Le temps de cycle est de 468ps à RL = 36/40, auto-rafraîchissement de tableau partiel (PASR)
• Température d'utilisation de -40°C à +105°C, Qualification automobile
• La fréquence d'horloge est de 2133MHz, le débit de données par broche est de 4266Mo/s
• Noyau ultra-basse tension et alimentations d'E/S
• Architecture DDR 16n prefetch, 8 banques internes par canal pour un fonctionnement simultané
• Entrée CMD/ADR à débit de données unique, prise en charge CK et DQS asymétriques
• Latences de lecture et d'écriture programmables (RL/WL), puissance de sortie sélectionnable (DS)