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VN10KN3-G
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 310 mA, 5 ohm, TO-92, Traversant
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Informations produit
FabricantMICROCHIP
Réf. FabricantVN10KN3-G
Code Commande2775068
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id310mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON5ohm
Type de boîtier de transistorTO-92
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance1W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
310mA
Type de boîtier de transistor
TO-92
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
1W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
5ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004536
Traçabilité des produits