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IXFN520N075T2
MOSFET, N-CH, 75V, 480A, SOT-227
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FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFN520N075T2
Code Commande3771785
Gamme de produitTrench T2 GigaMOS HiperFET Series
Fiche technique
265 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 31.170 |
| 5+ | CHF 27.120 |
| 10+ | CHF 23.060 |
| 25+ | CHF 21.700 |
| 100+ | CHF 20.340 |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFN520N075T2
Code Commande3771785
Gamme de produitTrench T2 GigaMOS HiperFET Series
Fiche technique
Type de canalN Channel
Courant de drain Id480A
Tension Drain-Source Vds75V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0015ohm
Tension de test Rds(on)10V
Type de boîtier de transistorSOT-227
Montage transistorModule
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance940W
Température d'utilisation Max.175°C
Nbre de broches4Broche(s)
Qualification-
Gamme de produitTrench T2 GigaMOS HiperFET Series
Spécifications techniques
Type de canal
N Channel
Tension Drain-Source Vds
75V
Tension de test Rds(on)
10V
Montage transistor
Module
Dissipation de puissance
940W
Nbre de broches
4Broche(s)
Gamme de produit
Trench T2 GigaMOS HiperFET Series
Courant de drain Id
480A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0015ohm
Type de boîtier de transistor
SOT-227
Tension de seuil Vgs Max
5V
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.044725
Traçabilité des produits