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FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFN120N65X2
Code Commande3949051
Gamme de produitHiPerFET X2 Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 39 semaine(s)
10-14 jours ouvrables pour la livraison des articles en stock (US Stock).
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | CHF 43.100 |
5+ | CHF 40.690 |
10+ | CHF 38.290 |
25+ | CHF 35.880 |
100+ | CHF 33.490 |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 43.10 (sans TVA)
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFN120N65X2
Code Commande3949051
Gamme de produitHiPerFET X2 Series
Fiche technique
Polarité transistorN Channel
Type de canalN Channel
Courant de drain Id108A
Tension Drain-Source Vds650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.024ohm
Résistance Rds(on)0.024ohm
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance890W
Dissipation de puissance Pd890W
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitHiPerFET X2 Series
Spécifications techniques
Polarité transistor
N Channel
Courant de drain Id
108A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.024ohm
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
890W
Température d'utilisation Max.
150°C
Type de canal
N Channel
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Rds(on)
0.024ohm
Tension de seuil Vgs Max
5V
Dissipation de puissance Pd
890W
Gamme de produit
HiPerFET X2 Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.039917
Traçabilité des produits