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IXBT42N300HV
IGBT, 104 A, 2.5 V, 500 W, 3 kV, TO-268HV, 3 Broche(s)
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FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXBT42N300HV
Code Commande3930188
Gamme de produitBiMOSFET Series
Fiche technique
429 En Stock
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| 5+ | CHF 40.710 |
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| 50+ | CHF 34.790 |
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXBT42N300HV
Code Commande3930188
Gamme de produitBiMOSFET Series
Fiche technique
Courant Collecteur Continu104A
Tension de saturation Emetteur Collecteur2.5V
Dissipation de puissance500W
Tension Collecteur Emetteur Max3kV
Type de boîtier de transistorTO-268HV
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Montage transistorMontage en surface
Gamme de produitBiMOSFET Series
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
High voltage BIMOSFET™ monolithic Bipolar MOS transistor suitable for use in laser generators, capacitor discharge circuits, AC switches, protection circuits applications.
- High voltage package
- High blocking voltage
- High peak current capability
- Low saturation voltage
- FBSOA and SCSOA
- High power density
Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
104A
Dissipation de puissance
500W
Type de boîtier de transistor
TO-268HV
Température d'utilisation Max.
150°C
Gamme de produit
BiMOSFET Series
Tension de saturation Emetteur Collecteur
2.5V
Tension Collecteur Emetteur Max
3kV
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits