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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFN420N10T
Code Commande3438388
Gamme de produitGigaMOS HiperFET
Fiche technique
255 En Stock
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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | CHF 27.390 |
5+ | CHF 23.790 |
10+ | CHF 20.180 |
50+ | CHF 19.900 |
100+ | CHF 19.620 |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 27.39 (sans TVA)
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFN420N10T
Code Commande3438388
Gamme de produitGigaMOS HiperFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Polarité transistorCanal N
Courant de drain Id420A
Tension Vds max..100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0023ohm
Résistance Rds(on)0.0023ohm
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance1.07kW
Dissipation de puissance Pd1.07kW
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitGigaMOS HiperFET
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
420A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0023ohm
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
1.07kW
Température de fonctionnement max..
175°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Polarité transistor
Canal N
Tension Vds max..
100V
Résistance Rds(on)
0.0023ohm
Tension de seuil Vgs Max
5V
Dissipation de puissance Pd
1.07kW
Gamme de produit
GigaMOS HiperFET
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (12-Jan-2017)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004
Traçabilité des produits