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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFN360N10T
Code Commande2784061
Gamme de produitTrench HiperFET
Fiche technique
390 En Stock
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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | CHF 24.240 |
5+ | CHF 20.990 |
10+ | CHF 17.730 |
50+ | CHF 17.280 |
100+ | CHF 16.830 |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 24.24 (sans TVA)
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFN360N10T
Code Commande2784061
Gamme de produitTrench HiperFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Polarité transistorCanal N
Courant de drain Id360A
Tension Vds max..100V
Résistance Rds(on)0.0026ohm
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0026ohm
Tension de test Rds(on)100V
Tension de seuil Vgs Max4.5V
Dissipation de puissance Pd830W
Dissipation de puissance830W
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitTrench HiperFET
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
360A
Résistance Rds(on)
0.0026ohm
Tension de test Rds(on)
100V
Dissipation de puissance Pd
830W
Température de fonctionnement max..
175°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Polarité transistor
Canal N
Tension Vds max..
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0026ohm
Tension de seuil Vgs Max
4.5V
Dissipation de puissance
830W
Gamme de produit
Trench HiperFET
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (12-Jan-2017)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.03