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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFK44N50P
Code Commande3438385
Gamme de produitPolar HiperFET
Fiche technique
79 En Stock
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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | CHF 10.440 |
5+ | CHF 8.650 |
10+ | CHF 6.870 |
50+ | CHF 6.720 |
100+ | CHF 6.570 |
250+ | CHF 6.560 |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFK44N50P
Code Commande3438385
Gamme de produitPolar HiperFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds500V
Courant de drain Id44A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.14ohm
Type de boîtier de transistorTO-264
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance658W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitPolar HiperFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
44A
Type de boîtier de transistor
TO-264
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
658W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
500V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.14ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
Polar HiperFET
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (12-Jan-2017)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004
Traçabilité des produits