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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantDSEI2X61-10B
Code Commande9359435
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive1kV
Courant direct moyen60A
Tension directe max2.3V
Configuration Module DiodeDouble Isolé
Type de boîtier de diodeSOT-227B
Nombre de broches4Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Courant de surtension vers l'avant500A
Type de montage de diodePanneau
Gamme de produit-
Aperçu du produit
La DSEI2X61-10B est une diode épitaxiale à redressement rapide (FRED) avec une puce passivée plane, un temps de redressement très court, des pertes de commutation extrêmement faibles et un comportement souple. Convient pour le chauffage et la fusion inductifs, les nettoyeurs à ultrasons et les soudeurs.
- Haute fiabilité du circuit
- Pics de tension faible pour circuits à protection réduite
- Commutation faible bruit
- Faibles pertes
- Fonctionnement à basse température ou gain de place grâce à un refroidissement réduit
- Puissance totale 180W à 25°C
Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
1kV
Tension directe max
2.3V
Type de boîtier de diode
SOT-227B
Température de fonctionnement max..
150°C
Type de montage de diode
Panneau
Courant direct moyen
60A
Configuration Module Diode
Double Isolé
Nombre de broches
4Broche(s)
Courant de surtension vers l'avant
500A
Gamme de produit
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.03
Traçabilité des produits