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FabricantINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Réf. FabricantIS29GL256-70DLET
Code Commande2901156
Gamme de produit3V Parallel NOR Flash Memories
Fiche technique
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Informations produit
FabricantINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Réf. FabricantIS29GL256-70DLET
Code Commande2901156
Gamme de produit3V Parallel NOR Flash Memories
Fiche technique
Type de mémoire flashNON-OU Parallèle
Densité de mémoire256Mbit
Configuration mémoire32M x 8 bits / 16M x 16 bits
InterfacesCFI, Parallèle
IC Boîtier/PaquetBGA
Nbre de broches64Broche(s)
Fréquence d'horloge Max.-
Temps d'accès70ns
Tension, alimentation min.3V
Tension d'alimentation Max.3.6V
Tension d'alimentation nominale3V
Montage CIMontage en surface
Température d'utilisation min-40°C
Température d'utilisation Max.105°C
Gamme de produit3V Parallel NOR Flash Memories
SVHCNo SVHC (16-Jul-2019)
Spécifications techniques
Type de mémoire flash
NON-OU Parallèle
Configuration mémoire
32M x 8 bits / 16M x 16 bits
IC Boîtier/Paquet
BGA
Fréquence d'horloge Max.
-
Tension, alimentation min.
3V
Tension d'alimentation nominale
3V
Température d'utilisation min
-40°C
Gamme de produit
3V Parallel NOR Flash Memories
SVHC
No SVHC (16-Jul-2019)
Densité de mémoire
256Mbit
Interfaces
CFI, Parallèle
Nbre de broches
64Broche(s)
Temps d'accès
70ns
Tension d'alimentation Max.
3.6V
Montage CI
Montage en surface
Température d'utilisation Max.
105°C
MSL
MSL 3 - 168 heures
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423275
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (16-Jul-2019)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00008