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SI4435DYTRPBF
MOSFET de puissance, Canal P, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Montage en surface
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantSI4435DYTRPBF
Code Commande2577192
Gamme de produitHEXFET
Egalement appeléSP001573756
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id8A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.02ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1V
Dissipation de puissance2.5W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitHEXFET
Qualification-
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
8A
Type de boîtier de transistor
SOIC
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
2.5W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.02ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
HEXFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001
Traçabilité des produits