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S78HS512TC0BHB013
Mémoire Flash, 512 Mbit, HYPERBus, 200MHz, FBGA, 24 broches
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantS78HS512TC0BHB013
Code Commande4125866RL
Egalement appeléSP005723164, S78HS512TC0BHB013
Fiche technique
1’976 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 15.000 |
| 10+ | CHF 13.890 |
| 25+ | CHF 13.450 |
| 50+ | CHF 12.070 |
| 100+ | CHF 11.770 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantS78HS512TC0BHB013
Code Commande4125866RL
Egalement appeléSP005723164, S78HS512TC0BHB013
Fiche technique
Type de mémoire flash-
Taille mémoire512Mbit
Densité de mémoire512Mbit
Configuration Mémoire Flash-
Configuration mémoire-
Type d'interface CIHyperBus
InterfacesHyperBus
IC Boîtier/PaquetFBGA
Type de boîtier de CI mémoireFBGA
Nbre de broches24Broche(s)
Fréquence d'horloge Max.200MHz
Fréquence, horloge200MHz
Temps d'accès-
Tension, alimentation min.1.7V
Tension d'alimentation Max.2V
Tension d'alimentation nominale-
Montage CIMontage en surface
Température d'utilisation min-40°C
Température d'utilisation Max.105°C
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- SEMPER™ flash and HYPERRAM™ 2.0 with HYPERBUS™ interface in multi-chip package (MCP)
- 1.8V, 512Mb SEMPER™ Flash and 64Mb HYPERRAM™ 2.0
- 512Mb SEMPER™ flash density, 45-nm MIRRORBIT™ Process technology SEMPER™ flash device technology
- 64Mb HYPERRAM™ density, 24-ball FBGA 8 x 8 x 1.2mm package type, low-halogen package material
- Automotive, AEC-Q100 grade 2, operating temperature range from -40°C to +105°C, 200MHz
- Chip select (CS#), 8-bit data bus (DQ[7:0]), data strobe (DS/RWDS)
- Bidirectional DS/mask, output at the start of all transactions to indicate refresh latency
- Output during read transactions as read DS, optional signals
- Busy to ready transition, RSTO# output to generate system level power-on-reset (POR)
- User configurable RSTO# LOW period, high-performance, DDR, two data transfers per clock
Spécifications techniques
Type de mémoire flash
-
Densité de mémoire
512Mbit
Configuration mémoire
-
Interfaces
HyperBus
Type de boîtier de CI mémoire
FBGA
Fréquence d'horloge Max.
200MHz
Temps d'accès
-
Tension d'alimentation Max.
2V
Montage CI
Montage en surface
Température d'utilisation Max.
105°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Taille mémoire
512Mbit
Configuration Mémoire Flash
-
Type d'interface CI
HyperBus
IC Boîtier/Paquet
FBGA
Nbre de broches
24Broche(s)
Fréquence, horloge
200MHz
Tension, alimentation min.
1.7V
Tension d'alimentation nominale
-
Température d'utilisation min
-40°C
Gamme de produit
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423990
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001553
Traçabilité des produits