Imprimer la page
S29GL01GT10FHI010
Mémoire Flash, Architecture MirrorBit Eclipse, NON-OU Parallèle, 1 Gbit, 128M x 8 bits
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantS29GL01GT10FHI010
Code Commande2768058
Gamme de produit3V Parallel NOR Flash Memories
Egalement appeléSP005664081, S29GL01GT10FHI010
Fiche technique
1’274 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 12.520 |
| 10+ | CHF 11.450 |
| 25+ | CHF 10.760 |
| 50+ | CHF 9.630 |
| 100+ | CHF 9.050 |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 12.52 (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantS29GL01GT10FHI010
Code Commande2768058
Gamme de produit3V Parallel NOR Flash Memories
Egalement appeléSP005664081, S29GL01GT10FHI010
Fiche technique
Type de mémoire flashNON-OU Parallèle
Densité de mémoire1Gbit
Configuration mémoire128M x 8 bits
InterfacesCFI, Parallèle
IC Boîtier/PaquetFBGA
Nbre de broches64Broche(s)
Fréquence d'horloge Max.-
Temps d'accès100ns
Tension, alimentation min.2.7V
Tension d'alimentation Max.3.6V
Tension d'alimentation nominale3V
Montage CIMontage en surface
Température d'utilisation min-40°C
Température d'utilisation Max.85°C
Gamme de produit3V Parallel NOR Flash Memories
MSLMSL 3 - 168 heures
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
S29GL01GT10FHI010 is a 128M x 8bit, 1Gbit, MIRRORBIT™ Eclipse parallel NOR flash product fabricated on 45nm process technology. Device is ideal for embedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption.
- VIO=VCC=2.7- 3.6V(high address sector protected), 100ns random access time
- CFI parallel interface
- Asynchronous 32-byte page read
- 512-byte programming buffer, programming in page multiples, up to a maximum of 512 bytes
- Single word and multiple program on same word options
- Automatic error checking and correction (ECC) - internal hardware ECC w/ single bit error correction
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Status register, data polling, and ready/busy pin methods to determine device status
- 100,000 program/erase cycles, 20yrs data retention, separate 2048byte OTP array w/ 4 lockable region
- Fortified ball-grid array package (LAA064) 13 x 11mm, industrial temperature range from -40 to 85°C
Spécifications techniques
Type de mémoire flash
NON-OU Parallèle
Configuration mémoire
128M x 8 bits
IC Boîtier/Paquet
FBGA
Fréquence d'horloge Max.
-
Tension, alimentation min.
2.7V
Tension d'alimentation nominale
3V
Température d'utilisation min
-40°C
Gamme de produit
3V Parallel NOR Flash Memories
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Densité de mémoire
1Gbit
Interfaces
CFI, Parallèle
Nbre de broches
64Broche(s)
Temps d'accès
100ns
Tension d'alimentation Max.
3.6V
Montage CI
Montage en surface
Température d'utilisation Max.
85°C
MSL
MSL 3 - 168 heures
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423269
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.009215
Traçabilité des produits