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ISC0602NLSATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 80 V, 66 A, 0.0073 ohm, TDSON, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | CHF 1.790 |
| 50+ | CHF 1.250 |
| 250+ | CHF 0.847 |
| 1000+ | CHF 0.619 |
| 3000+ | CHF 0.607 |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantISC0602NLSATMA1
Code Commande3794541
Gamme de produitOptiMOS 5
Egalement appeléSP005430396, ISC0602NLS
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds80V
Courant de drain Id66A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0073ohm
Type de boîtier de transistorTDSON
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.6V
Dissipation de puissance60W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitOptiMOS 5
Qualification-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
66A
Type de boîtier de transistor
TDSON
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
60W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
80V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0073ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.6V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
OptiMOS 5
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000121
Traçabilité des produits