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IRLS3813TRLPBF
MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 160 A, 0.00195 ohm, TO-263AB, Montage en surface
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLS3813TRLPBF
Code Commande2781156RL
Gamme de produitHEXFET
Egalement appeléSP001573098
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id160A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.00195ohm
Type de boîtier de transistorTO-263AB
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.35V
Dissipation de puissance195W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitHEXFET
Qualification-
Aperçu du produit
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
160A
Type de boîtier de transistor
TO-263AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
195W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.00195ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.35V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
HEXFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits