IRL40SC228
MOSFET de puissance, Canal N, 40 V, 360 A, 650 µohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
800 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 4.030 |
| 10+ | CHF 2.680 |
| 50+ | CHF 2.290 |
| 100+ | CHF 1.890 |
| 250+ | CHF 1.860 |
Informations produit
Aperçu du produit
MOSFET de puissance HEXFET® convient pour une utilisation dans les applications d'entraînement de moteur à balais, les applications d'entraînement de moteur BLDC, les circuits alimentés par batterie, les topologies en demi-pont et en pont complet, les applications de redresseur synchrone, les alimentations en mode résonant, les interrupteurs OU et redondants, les convertisseurs DC/DC et AC/DC, les onduleurs DC/AC.
- Optimisé pour un entraînement par niveau Logique
- Porte améliorée, avalanche et dynamisme dv/dt dynamique
- Capacité entièrement caractérisé et avalanche SOA
- Diode améliorée capacité dV/ dt et dl/dt
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent fluctuer. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Canal N
360A
TO-263 (D2PAK)
10V
416W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
40V
650µohm
Montage en surface
2.4V
7Broche(s)
StrongIRFET
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit