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IRFR3709ZTRLPBF
MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 86 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFR3709ZTRLPBF
Code Commande2777387RL
Gamme de produitHEXFET
Egalement appeléSP001556992
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id86A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0065ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.8V
Dissipation de puissance79W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitHEXFET
Qualification-
Produits de remplacement pour IRFR3709ZTRLPBF
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
86A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
79W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0065ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.8V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
HEXFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000998
Traçabilité des produits