Imprimer la page
IRFP250NPBF
MOSFET de puissance, Canal N, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Traversant
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFP250NPBF
Code Commande8649260
Gamme de produitHEXFET Series
Egalement appeléSP001554946
Fiche technique
4’135 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS en 1-2 jours ouvrés
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de CHF 0.00 et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 3.120 |
| 10+ | CHF 1.870 |
| 100+ | CHF 1.670 |
| 500+ | CHF 1.270 |
| 1000+ | CHF 1.240 |
| 5000+ | CHF 1.210 |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 3.12 (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFP250NPBF
Code Commande8649260
Gamme de produitHEXFET Series
Egalement appeléSP001554946
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds200V
Courant de drain Id30A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.075ohm
Type de boîtier de transistorTO-247AC
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance214W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le IRFP250NPBF est un MOSFET de puissance 200V simple canal N HEXFET en boîtier TO-247AC. Ce MOSFET est doté d'une très faible résistance à l'état passant par zone de silicium entièrement mise en avalanche et dispose d'une commutation rapide, robuste et dynamique dv/dt. Ce MOSFET de puissance est reconnu pour offrir un rendement et une fiabilité très élevés lui permettant d'être utilisé dans une large gamme d'applications.
- Tension Drain/Source (Vds) de 200V
- Tension Grille-Source de ±20V
- Résistance à l'état passant Rds(on) de 75 mohm à Vgs 10V
- Dissipation de puissance (Pd) 214W à 25°C
- Courant de drain continu (Id) de 30A à Vgs 10V et 25°C
- Température d'utilisation de -55°C à 175°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
30A
Type de boîtier de transistor
TO-247AC
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
214W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
200V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.075ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
HEXFET Series
MSL
-
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour IRFP250NPBF
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.007167
Traçabilité des produits