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IRFH5020TRPBF
MOSFET de puissance, Canal N, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Montage en surface
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| 1+ | CHF 1.030 |
| 10+ | CHF 0.754 |
| 100+ | CHF 0.670 |
| 500+ | CHF 0.643 |
| 1000+ | CHF 0.617 |
| 5000+ | CHF 0.610 |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFH5020TRPBF
Code Commande2580002
Gamme de produitHEXFET
Egalement appeléSP001575478
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds200V
Courant de drain Id34A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.047ohm
Type de boîtier de transistorPQFN
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance3.6W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
34A
Type de boîtier de transistor
PQFN
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
3.6W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
200V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.047ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
5V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
HEXFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001
Traçabilité des produits