Imprimer la page
1’558 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | CHF 2.240 |
10+ | CHF 1.650 |
100+ | CHF 1.340 |
500+ | CHF 1.230 |
1000+ | CHF 1.220 |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 2.24 (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFB3407ZPBF
Code Commande2839487
Gamme de produitHEXFET
Egalement appeléIRFB3407ZPBF, SP001560202
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds75V
Courant de drain Id120A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.005ohm
Type de boîtier de transistorTO-220
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance230W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitHEXFET
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour IRFB3407ZPBF
3 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
MOSFET de puissance HEXFET® adapté pour une utilisation dans la gestion de batterie, la commutation de puissance à grande vitesse et les circuits à commutation dure et haute fréquence.
- Porte améliorée, avalanche et dynamisme dv/dt dynamique
- Capacité entièrement caractérisé et avalanche SOA
- Diode améliorée capacité dV/ dt et dl/dt
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent fluctuer. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
120A
Type de boîtier de transistor
TO-220
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
230W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
75V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.005ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
HEXFET
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002801