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IRF9362TRPBF
MOSFET double, Canal P, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF9362TRPBF
Code Commande2577160RL
Gamme de produitHEXFET Series
Egalement appeléSP001555840
Fiche technique
1’861 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 50+ | CHF 0.618 |
| 250+ | CHF 0.408 |
| 1000+ | CHF 0.324 |
| 2000+ | CHF 0.295 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
CHF 66.80 (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de CHF 5.00 seront appliqués pour ce produit
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF9362TRPBF
Code Commande2577160RL
Gamme de produitHEXFET Series
Egalement appeléSP001555840
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain Source Vds, Canal N30V
Tension drain source Vds, Canal P30V
Courant de drain continu Id, Canal N8A
Courant de drain continu Id, Canal P8A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.017ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.017ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P2W
Dissipation de puissance, Canal P2W
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
L'IRF9362TRPBF est un MOSFET de puissance HEXFET® double canal P pour utiliser avec un commutateur de charge et de décharge pour les applications de batterie d'ordinateur portable. Il est compatible avec les techniques de montage en surface existantes.
- Boîtier standard pour la compatibilité multi-fournisseurs
- Sans halogène
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Tension drain source Vds, Canal P
30V
Courant de drain continu Id, Canal P
8A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.017ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
2W
Gamme de produit
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
30V
Courant de drain continu Id, Canal N
8A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.017ohm
Type de boîtier de transistor
SOIC
Dissipation de puissance Canal P
2W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (4)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001
Traçabilité des produits