IRF7343TRPBF
MOSFET double, Complémentaire canal N et P, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.250 |
| 10+ | CHF 0.827 |
| 100+ | CHF 0.573 |
| 500+ | CHF 0.454 |
| 1000+ | CHF 0.429 |
| 5000+ | CHF 0.380 |
Informations produit
Aperçu du produit
L'IRF7343TRPBF est un MOSFET, canal N/P, double, utilisant des techniques de traitement avancées pour atteindre la résistance ON la plus faible possible par zone de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et un composant robuste. Le MOSFET HEXFET Power est un composant extrêmement efficace pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Le boîtier SO-8 a été modifié à l'aide d'une grille de connexion personnalisée pour des caractéristiques thermiques améliorées et une capacité multi-matrice, ce qui le rend idéal dans une variété d'applications de puissance. Grâce à ces améliorations, plusieurs périphériques peuvent être utilisés dans des applications avec un espace de carte considérablement réduit.
- Technologie de génération V
- Résistance On Ultra basse
- Composant monté en surface
- Avalanche complète
Spécifications techniques
Complémentaire canal N et P
55V
4.7A
0.043ohm
8Broche(s)
2W
-
-
55V
4.7A
0.043ohm
SOIC
2W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit